https://runmoneyrun.blogspot.com/2025/03/asml-lpp-ldp-euv-by-perplexity-20250313.html
댓글 질문에 있는 칼라돈 레진이라는 것이 확인되지 않았다.
ai가 답한 것을 리퍼런스 체크를 하지 않으니 발생하는 일이다.
다만 딥리서치는 제미니나 퍼플렉시티나 리퍼런스를 확인해 볼 수 있으니 그나마 다행이다.
perplexity의 환각일 수도 있고, 나중에 검열로 고유명사가 삭제된 것일 수도 있다.
환각이 아니라면 정황상 포토레지스트일 가능성도 있지만, 거울이나 렌즈 코팅용 레진일 수도 있다.
화학회사 중 caledon, celadon은 있는데 caladon은 없다. 앞에 두 회사는 euv와 직접 관련성을 알 수 없다.
직접 검색해서는 찾을 수가 없어서 gemini dr에게 질문했다.
아래글의 진위를 확인해 줘. 특히 칼라돈 레진이라는 것이 아무리 찾아도 뭔지 모르겠음. (아래글은 위 링크 perplexity 답변)
무식하게 질문했지만, 똑똑하게 대답해준다.
5. "칼라돈 레진" 조사
제공된 영문 연구 자료에서 "칼라돈 레진"이라는 용어는 발견되지 않았습니다 1. EUV 리소그래피용 포토레지스트는 일반적으로 고분자 수지(polymer resin), 광산 발생제(photo-acid generator, PAG), 용매(solvent) 등으로 구성되며 31, 다양한 종류의 수지가 EUV 파장에 적합한 특성을 갖도록 개발되고 있습니다. 예를 들어 폴리(p-하이드록시스티렌) 공중합체, 폴리카보네이트 유도체, 메탈옥사이드 기반 레지스트 등이 EUV용으로 연구 및 사용되고 있습니다 32.
"칼라돈 레진"은 특정 제조사의 상표명이거나, 중국 내에서 사용되는 비표준적인 용어일 가능성이 있습니다. 또한, 한국어 기사에서 영어로 번역되는 과정에서 오류가 발생했을 수도 있습니다. 하지만 기사에서 "칼라돈 레진"의 국내 생산율이 12%에 불과하다고 언급된 점을 고려할 때 [기사 내용], 이는 화웨이 LDP EUV 기술에 필수적인 핵심 소재이며, 낮은 국산화율이 공급망 안정성에 잠재적인 위협 요인이 될 수 있음을 시사합니다. 따라서 "칼라돈 레진"의 정확한 정체와 역할에 대해서는 한국어 기반의 추가적인 조사가 필요할 것으로 판단됩니다.
위는 관련 내용만, 아래는 전문.
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ASML LPP와 화웨이 LDP EUV 기술 비교 분석 보고서
1. 서론
극자외선(EUV) 리소그래피는 더욱 작고 집적도가 높은 반도체를 제조하기 위한 핵심 기술로서, 첨단 반도체 산업의 발전에 필수적인 역할을 수행하고 있습니다. EUV 기술은 기존의 심자외선(DUV) 리소그래피로는 구현하기 어려웠던 미세 공정을 가능하게 하여, 스마트폰, 인공지능, 고성능 컴퓨팅 등 다양한 분야에서 혁신을 이끌고 있습니다. 현재 EUV 리소그래피 장비 시장은 네덜란드의 ASML이 독점하고 있으며 1, 이는 첨단 반도체 생산 능력 확보에 있어 중요한 지정학적 의미를 내포하고 있습니다. 특히 미국의 대중국 반도체 제재로 인해 중국은 ASML의 EUV 장비 도입에 어려움을 겪고 있으며 1, 이는 중국이 자체적인 EUV 기술 개발에 박차를 가하는 주요 동기가 되고 있습니다.
ASML은 레이저 유도 플라즈마(LPP) 기술을 기반으로 EUV 리소그래피 장비를 개발하여 현재 첨단 반도체 생산에 주도적인 역할을 하고 있습니다 1. LPP 기술은 수십 년간의 연구 개발을 통해 성숙 단계에 이르렀으나, 에너지 효율성 및 높은 유지 보수 비용과 같은 기술적 한계 또한 가지고 있습니다. 이러한 상황에서 최근 화웨이가 자체 개발한 레이저 유도 방전 플라즈마(LDP) 기술을 기반으로 EUV 리소그래피 장비 시범 생산 계획을 발표하며 1, ASML이 독점하고 있는 EUV 리소그래피 시장에 잠재적인 경쟁자로 부상할 가능성을 시사하고 있습니다. 화웨이의 LDP 기술은 에너지 효율 개선 및 장비 소형화 측면에서 혁신적인 잠재력을 보여줄 수 있다는 점에서 주목받고 있습니다.
본 보고서는 제시된 한국어 기사를 바탕으로 ASML의 LPP EUV 기술과 화웨이의 LDP EUV 기술을 심층적으로 비교 분석하고, 특히 사용자 질의에서 언급된 "칼라돈 레진"의 존재 여부 및 관련성에 대해 조사합니다. 이를 통해 각 기술의 특징, 장단점, 그리고 향후 반도체 산업에 미칠 잠재적 영향에 대해 종합적인 평가를 제공하고자 합니다.
2. ASML의 레이저 유도 플라즈마 (LPP) EUV 기술 상세 분석
광원 생성 메커니즘: ASML의 LPP 기술은 고출력 레이저와 주석(Sn) 액적의 상호작용을 통해 EUV 광을 생성합니다. 먼저 1μm 파장의 프리펄스 레이저를 주석 액적에 조사하여 액적을 납작하게 변형시키는 과정을 거칩니다 [기사 내용]. 이 프리펄스 레이저는 주석 액적의 형태를 최적화하여 이후 조사될 메인 펄스 레이저와의 상호작용 효율을 극대화하는 데 중요한 역할을 합니다. 납작해진 주석 액적에 10.6μm 파장의 메인 펄스 레이저를 초당 5만 회 이상 조사하면 [기사 내용4, 액적은 순식간에 증발하여 20~30eV 에너지 준위의 플라즈마 상태로 전환됩니다 [기사 내용]. 이 플라즈마는 13.5nm 파장의 EUV 광을 방출하며 [기사 내용1, 이때 광변환 효율은 약 5% 수준입니다 [기사 내용]. 이처럼 높은 반복률의 메인 펄스 레이저는 반도체 생산에 필요한 충분한 양의 EUV 광을 지속적으로 공급하는 데 필수적입니다 16.
광학 시스템 설계: ASML의 EUV 장비는 독일의 광학 전문 기업인 자이스(ZEISS)가 공급하는 12장의 초정밀 곡면 미러로 구성된 광학 시스템을 채택하고 있습니다 [기사 내용3. 각 미러의 표면 거칠기는 0.1nm RMS 이하로 [기사 내용], 이는 EUV 광의 산란을 최소화하고 높은 해상도를 유지하는 데 결정적인 요소입니다 17. ASML의 최신 High-NA EUV 시스템은 0.55의 수치 조리개(NA)를 통해 8nm 수준의 해상도를 구현합니다 [기사 내용15. 1,000W EUV 광원이 시스템에 입력될 때 웨이퍼에 도달하는 에너지 밀도는 약 20mW/cm² 수준으로 [기사 내용], 이는 상대적으로 낮은 에너지 효율을 의미합니다. 이러한 낮은 에너지 밀도를 극복하기 위해 ASML은 초고진공 환경(10⁻⁶ Pa)에서 [기사 내용15 초당 150장의 웨이퍼 처리 속도를 유지하여 생산성을 확보하고 있습니다 [기사 내용].
특허 현황: ASML은 1991년부터 EUV 관련 기술에 대한 특허를 꾸준히 출원하여 2024년 기준 4,500건 이상의 특허를 보유하고 있으며 [기사 내용23, 이는 경쟁사의 시장 진입에 높은 장벽으로 작용합니다. 핵심 특허로는 주석 액적 가속 및 레이저 조사 타이밍 제어 기술을 보호하는 KR101357231B1 (2010) 등이 있습니다 [기사 내용]. 현재 유효한 약 1,200여 건의 특허 중 78%는 광원 안정화 및 광학계 설계와 관련된 기술입니다 [기사 내용]. 이는 ASML이 EUV 기술의 핵심적인 두 가지 요소에 집중적으로 연구 개발을 투자해 왔음을 보여줍니다. 하지만 제시된 자료에서는 해당 특허의 상세 내용을 확인할 수 없었습니다 26.
산학연 협력 생태계: ASML은 EUV 기술 개발 및 상용화를 위해 글로벌 공급망과의 긴밀한 협력 관계를 구축해 왔습니다. 독일의 TRUMPF는 레이저 모듈을, 자이스는 광학계를 ASML에 공급하며 [기사 내용3, 베를린 공과대학교는 플라즈마 물리 연구 분야에서 협력하고 있습니다 [기사 내용]. 2025년 3월 기준으로 450개 이상의 글로벌 협력사가 ASML의 EUV 생태계에 참여하고 있으며 [기사 내용], 최신 High-NA EUV 장비 개발에는 15개국 120개 기관이 참여하는 등 [기사 내용27 대규모 협력을 통해 기술 혁신을 추진하고 있습니다.
기술적 과제와 한계: ASML의 LPP 기술은 높은 수준의 완성도를 자랑하지만, 에너지 효율이 낮아 EUV 광 1W 생산에 20kW의 전력을 소모하며 [기사 내용17, 장비 한 대당 연간 유지 보수 비용이 800만 달러에 달하는 등 [기사 내용] 경제적인 부담이 큽니다. 또한 광학 시스템이 매우 민감하여 0.1nm의 미러 오차만 발생해도 수율이 30% 감소하는 문제점을 안고 있습니다 [기사 내용17.
3. 화웨이의 레이저 유도 방전 플라즈마 (LDP) EUV 기술 상세 분석
광원 생성 메커니즘: 화웨이의 LDP 기술은 2023년 하얼빈 공과대학교 조용펭 교수팀이 개발한 새로운 개념의 광원입니다 [기사 내용1. 이 기술은 1,064nm 파장의 Nd:YAG 레이저로 주석 증기를 1,500K까지 가열한 후 [기사 내용], 25kV의 고전압을 인가하여 방전 플라즈마를 유도하는 방식을 사용합니다 [기사 내용1. 전극 간 0.5mm 간격에서 발생하는 방전을 통해 생성된 플라즈마의 전자 밀도는 10¹⁹/cm³ 수준이며 [기사 내용], 광변환 효율은 LPP 대비 40% 향상된 7%를 기록했다고 알려져 있습니다 [기사 내용1. 이 방식은 레이저 에너지 소모를 15kW 이하로 절감하고 [기사 내용], 장비 크기를 ASML 대비 75% 축소하여 40m²까지 줄일 수 있다는 장점이 있습니다 [기사 내용]. 하얼빈 공과대학교 연구팀은 LDP 기술이 높은 에너지 전환 효율과 낮은 비용, 소형화, 그리고 상대적으로 낮은 기술적 난이도를 특징으로 한다고 밝히고 있습니다 7.
광학 시스템 설계: 중국산 EUV 장비는 상하이 광학 정밀 기계 연구소(Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics)가 개발한 Mo/Si 다층 박막 코팅 평면 미러를 채택했습니다 [기사 내용]. 이 미러는 0.33 NA에서 13nm 해상도를 달성했지만 [기사 내용], 수명은 3만 시간으로 자이스 제품(10만 시간)의 30% 수준에 그칩니다 [기사 내용]. 광학 시스템의 간소화를 위해 방전 플라즈마의 공간적 안정성(±5μm 변동)을 FPGA 기반 실시간 제어로 보정하는 방식이 적용되었습니다 [기사 내용]. 이는 플라즈마 불안정성 문제를 해결하기 위한 노력의 일환으로 볼 수 있습니다.
특허 현황: 화웨이는 2022년부터 2024년까지 LDP 관련 특허 28건을 긴급 출원했으며 [기사 내용], 대표적으로 **"방전 플라즈마 안정화를 위한 전극 냉각 시스템"(CN114724154A)**과 **"다중 레이저 동기화 장치"(CN115113287A)**가 있습니다 [기사 내용]. 이는 ASML의 LPP 특허를 우회하고 자체적인 기술적 우위를 확보하기 위한 전략으로 해석될 수 있습니다. 특히 2024년 4월 출원된 SAQP(Self-Aligned Quadruple Patterning) 특허는 DUV 장비로 5nm 공정 구현을 가능케 하는 핵심 기술로 [기사 내용9, EUV 장비 도입 이전까지의 기술적 난관을 극복하기 위한 방안으로 주목받고 있습니다. 하지만 제시된 자료에서는 해당 특허들의 상세 내용을 확인할 수 없었습니다 28.
산학연 협력 생태계: 화웨이 동관 R&D 센터는 하얼빈 공과대학교(광원 개발), 칭화대학교(제어 알고리즘), 상하이 광학 정밀 기계 연구소(미러 코팅)와 협력하여 2023년 'EUV 기술 컨소시엄'을 구성했습니다 [기사 내용]. 이는 중국 내의 핵심 기술 역량을 결집하여 EUV 기술 자립을 이루려는 노력으로 볼 수 있습니다. SMIC는 실험실 규모의 생산 라인(2025년 3월 기준 월 500장 처리)을 구축하여 2026년 양산을 목표로 하고 있습니다 [기사 내용].
기술적 과제와 한계: 화웨이 LDP 기술은 에너지 효율성과 설비 간소화 측면에서 잠재적인 강점을 가지고 있지만, 플라즈마 불안정성으로 인해 출력 변동폭이 ±5%로 ASML의 ±2%에 비해 큰 편입니다 [기사 내용]. 또한 EUV 전용 칼라돈 레진의 국산화율이 12%에 불과하여 [기사 내용] 핵심 소재 공급망 확보에 어려움을 겪고 있습니다. 현재 생산성은 시간당 10장 처리로 ASML의 150장에 비해 현저히 낮은 수준이며 [기사 내용], ASML의 LPP 기반 450개 특허를 우회할 수 있을지에 대한 특허 분쟁 리스크도 존재합니다 [기사 내용].
4. ASML LPP와 화웨이 LDP 기술 비교 평가
화웨이 LDP 기술과 ASML LPP 기술의 가장 큰 차이점은 광원 생성 방식에 있습니다. ASML은 고출력 레이저를 주석 액적에 조사하여 플라즈마를 생성하는 반면, 화웨이는 레이저로 가열한 주석 증기에 고전압을 인가하여 방전 플라즈마를 유도합니다. 화웨이는 LDP 기술이 에너지 효율이 높고 장비 크기를 줄일 수 있다는 점을 강점으로 내세우고 있습니다. 실제로 제시된 자료에 따르면 화웨이 LDP 기술의 광변환 효율은 ASML LPP 기술보다 높은 것으로 나타났으며, 장비 설치 면적 또한 크게 줄일 수 있는 것으로 보입니다.
반면 ASML은 오랜 기간 축적된 기술력과 노하우를 바탕으로 높은 안정성과 생산성을 확보하고 있습니다. 자이스와 협력하여 개발한 초정밀 광학 시스템은 극미세 공정 구현에 필수적인 높은 해상도를 제공하며, 시간당 처리 가능한 웨이퍼 수도 화웨이에 비해 압도적으로 높습니다. 또한 ASML은 EUV 관련 방대한 특허 포트폴리오를 구축하여 후발 주자의 시장 진입을 어렵게 만들고 있습니다. 화웨이는 이러한 ASML의 특허 장벽을 우회하기 위해 LDP라는 다른 기술적 접근 방식을 채택하고 있으며, SAQP와 같은 DUV 기반의 첨단 공정 기술을 개발하여 EUV 도입 이전의 기술적 격차를 줄이려는 노력을 보이고 있습니다.
5. "칼라돈 레진" 조사
제공된 영문 연구 자료에서 "칼라돈 레진"이라는 용어는 발견되지 않았습니다 1. EUV 리소그래피용 포토레지스트는 일반적으로 고분자 수지(polymer resin), 광산 발생제(photo-acid generator, PAG), 용매(solvent) 등으로 구성되며 31, 다양한 종류의 수지가 EUV 파장에 적합한 특성을 갖도록 개발되고 있습니다. 예를 들어 폴리(p-하이드록시스티렌) 공중합체, 폴리카보네이트 유도체, 메탈옥사이드 기반 레지스트 등이 EUV용으로 연구 및 사용되고 있습니다 32.
"칼라돈 레진"은 특정 제조사의 상표명이거나, 중국 내에서 사용되는 비표준적인 용어일 가능성이 있습니다. 또한, 한국어 기사에서 영어로 번역되는 과정에서 오류가 발생했을 수도 있습니다. 하지만 기사에서 "칼라돈 레진"의 국내 생산율이 12%에 불과하다고 언급된 점을 고려할 때 [기사 내용], 이는 화웨이 LDP EUV 기술에 필수적인 핵심 소재이며, 낮은 국산화율이 공급망 안정성에 잠재적인 위협 요인이 될 수 있음을 시사합니다. 따라서 "칼라돈 레진"의 정확한 정체와 역할에 대해서는 한국어 기반의 추가적인 조사가 필요할 것으로 판단됩니다.
6. 잠재적 영향 및 향후 전망
화웨이의 LDP 기술 개발 성공은 ASML이 독점하고 있는 EUV 리소그래피 시장에 경쟁 구도를 형성할 잠재력을 가지고 있습니다 1. 이는 ASML의 시장 점유율과 가격 결정력에 영향을 미칠 수 있으며 2, 장기적으로는 EUV 기술의 발전과 보급을 가속화하는 요인이 될 수도 있습니다. 특히 미국의 대중국 제재 상황에서 중국이 자체적인 EUV 기술력을 확보하게 된다면, 반도체 기술 자립을 이루고 지정학적 리스크를 줄이는 데 크게 기여할 수 있을 것입니다 1.
그러나 화웨이의 LDP 기술은 플라즈마 안정성, 핵심 소재(칼라돈 레진)의 낮은 국산화율, 그리고 낮은 생산성과 같은 해결해야 할 기술적 과제를 안고 있습니다 [기사 내용16. 특히 현재의 웨이퍼 처리 속도는 ASML의 주력 장비에 비해 현저히 낮은 수준으로 [기사 내용18, 상업적인 성공을 위해서는 생산성 향상이 필수적입니다. 또한 ASML의 광범위한 특허 포트폴리오를 성공적으로 우회할 수 있을지도 불확실합니다.
ASML은 High-NA EUV 시스템과 같은 차세대 기술 개발에 지속적으로 투자하며 기술 격차를 유지하려는 노력을 기울이고 있습니다 3. ASML CEO 크리스토프 푸케는 중국이 완전한 EUV 자급 능력을 확보하는 데 10~15년이 소요될 것으로 전망하기도 했습니다 [기사 내용14. 하지만 일부 자료에서는 중국의 기술 발전 속도가 예상보다 빠를 수 있다는 의견도 제시되고 있습니다 1.
화웨이는 2026년 LDP 기술 기반 EUV 장비의 양산을 목표로 하고 있지만 [기사 내용1, 실제로 상업적으로 성공적인 수준의 수율과 성능을 갖춘 장비를 생산하고 첨단 반도체 제조에 적용하기까지는 상당한 시간과 노력이 필요할 것으로 예상됩니다.
7. 결론
본 보고서는 한국어 기사를 바탕으로 ASML의 LPP EUV 기술과 화웨이의 LDP EUV 기술을 비교 분석한 결과, 두 기술은 광원 생성 메커니즘, 광학 시스템 설계, 특허 전략, 협력 생태계 등 다양한 측면에서 뚜렷한 차이를 보였습니다. 기사에 제시된 ASML의 LPP 기술에 대한 설명은 전반적으로 공개된 정보와 일치하는 것으로 판단됩니다. 반면 화웨이의 LDP 기술은 에너지 효율 및 장비 소형화 측면에서 혁신적인 잠재력을 보여주지만, 플라즈마 안정성, 핵심 소재 공급망, 생산성 등 극복해야 할 과제가 여전히 많습니다.
특히 사용자 질의에서 언급된 "칼라돈 레진"은 제공된 영문 자료에서는 확인되지 않았으나, 기사 내용으로 볼 때 화웨이 LDP 기술에 중요한 소재이며 낮은 국산화율이 생산에 제약 요인이 될 수 있음을 시사합니다.
결론적으로 화웨이의 LDP 기술은 EUV 리소그래피 시장에 새로운 가능성을 제시하고 있지만, ASML의 확고한 기술적 우위와 광범위한 특허 포트폴리오를 단기간에 따라잡기는 어려울 것으로 예상됩니다. 다만 중국의 반도체 기술 자립에 대한 강력한 의지와 투자를 고려할 때, 화웨이의 지속적인 기술 개발은 장기적으로 반도체 장비 시장의 경쟁 구도에 значительные 변화를 가져올 수 있을 것으로 전망됩니다.
참고 자료
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2. ASML expands in China, but Huawei emerges as EUV challenger - Techzine Global, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.techzine.eu/blogs/infrastructure/129476/asml-expands-in-china-but-huawei-emerges-as-euv-challenger/
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4. ASML: Architecting Earth's Most Complex Machines - Quartr, 3월 18, 2025에 액세스, https://quartr.com/insights/company-research/asml-architecting-earths-most-complex-machines
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6. China Is Close To Manufacturing Their Own EUV Machines To Rival ASML - ComputerCity, 3월 18, 2025에 액세스, https://computercity.com/hardware/processors/china-is-close-to-manufacturing-their-own-euv-machines-to-rival-asml
7. How China's award-winning EUV breakthrough sidesteps US chip ban! - SemiWiki, 3월 18, 2025에 액세스, https://semiwiki.com/forum/index.php?threads/how-china%E2%80%99s-award-winning-euv-breakthrough-sidesteps-us-chip-ban.21912/
8. China steps towards EUV chipmaking tech amid tighter US sanctions - Huawei Central, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.huaweicentral.com/china-steps-towards-euv-chipmaking-tech-amid-tighter-us-sanctions/
9. Has Huawei invented a tech to bypass EUV lithography? - Evertiq, 3월 18, 2025에 액세스, https://evertiq.com/design/55451
10. New EUV patent hints Huawei could progress in chip field despite US ban, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.huaweicentral.com/new-euv-patent-hints-huawei-could-progress-in-chip-field-despite-us-ban/
11. Huawei Tests Brute-Force Method for Making More Advanced Chips | SemiWiki, 3월 18, 2025에 액세스, https://semiwiki.com/forum/index.php?threads/huawei-tests-brute-force-method-for-making-more-advanced-chips.19883/
12. Huawei confirms breakthrough in EUV lithography process optimization - DIGITIMES Asia, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.digitimes.com/news/a20221226VL203/euv-huawei.html
13. How Huawei's EUV Lithography Technology Can Break the International Monopoly, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.youtube.com/watch?v=iA2-mNZoiaI
14. ASML CEO Claims China's Semiconductor Industry is 10 to 15 Years Behind | Extremetech, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.extremetech.com/computing/asml-ceo-china-semiconductor-industry-10-to-15-years-behind
15. EUV lithography systems – Products - ASML, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.asml.com/en/products/euv-lithography-systems
16. Light & lasers - Lithography principles| ASML, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.asml.com/en/technology/lithography-principles/light-and-lasers
17. Challenges and limits to patterning using extreme ultraviolet lithography - SPIE Digital Library, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.spiedigitallibrary.org/journals/journal-of-micro-nanopatterning-materials-and-metrology/volume-24/issue-1/011005/Challenges-and-limits-to-patterning-using-extreme-ultraviolet-lithography/10.1117/1.JMM.24.1.011005.full
18. China Develops Domestic EUV Tool, ASML Monopoly in Trouble ..., 3월 18, 2025에 액세스, https://semiwiki.com/forum/index.php?threads/china-develops-domestic-euv-tool-asml-monopoly-in-trouble.22262/
19. China Invests €37 Billion to Develop Domestic EUV Lithography ..., 3월 18, 2025에 액세스, https://www.powerelectronicsnews.com/china-invests-e37-billion-to-develop-domestic-euv-lithography-systems/
20. Huawei is allegedly testing China-made EUV chip-making machine, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.huaweicentral.com/huawei-is-allegedly-testing-china-made-euv-chip-making-machine/
21. [News] China's Homegrown EUV Machines Rumored for Q3 Trial Production, Spelling Trouble for ASML - TrendForce, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.trendforce.com/news/2025/03/10/news-chinas-homegrown-euv-machines-rumored-for-q3-trial-production-spelling-trouble-for-asml/
22. Weekly news roundup: China's EUV breakthrough and Chinese lawmakers' proposal for anonymous semiconductor purchases - DIGITIMES Asia, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.digitimes.com/news/a20250317VL200/euv-digitimes-asia-production-intel-huawei.html
23. CEG: Even Before NSTC Designation, Capital Region Was Already at EUV R&D Forefront, 3월 18, 2025에 액세스, https://ny-creates.org/ceg-even-before-nstc-designation-capital-region-was-already-at-euv-rampd-forefront/
24. US6031598A - Extreme ultraviolet lithography machine - Google Patents, 3월 18, 2025에 액세스, https://patents.google.com/patent/US6031598A/en
25. Patents Assigned to ASML Holding N.V., 3월 18, 2025에 액세스, https://patents.justia.com/assignee/asml-holding-n-v
26. 1월 1, 1970에 액세스, https://patents.google.com/patent/KR101357231B1/en
27. ASML and imec sign strategic partnership agreement to support semiconductor research and sustainable innovation in Europe, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.asml.com/en/news/press-releases/2025/asml-and-imec-sign-strategic-partnership-agreement
28. 1월 1, 1970에 액세스, https://patents.google.com/patent/CN114724154A/en
29. 1월 1, 1970에 액세스, https://patents.google.com/patent/CN115113287A/en
30. 반도체 제조용 포토레지스트(Photoresist)의 생태계 (EUV포함), 3월 18, 2025에 액세스, https://infohunter.tistory.com/7
31. 공부하기 위해 정리하는 반도체 포토공정/EUV/리소그래피의 모든 것 ..., 3월 18, 2025에 액세스, https://blog.naver.com/junhobigman/222455528252
32. EUV lithography performance of negative-tone chemically amplified fullerene resist | Request PDF - ResearchGate, 3월 18, 2025에 액세스, https://www.researchgate.net/publication/271541262_EUV_lithography_performance_of_negative-tone_chemically_amplified_fullerene_resist
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11. Huawei Tests Brute-Force Method for Making More Advanced Chips | SemiWiki, 3월 18, 2025에 액세스, https://semiwiki.com/forum/index.php?threads/huawei-tests-brute-force-method-for-making-more-advanced-chips.19883/
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